对于功率转换，氮化镓器件也有相当大的优势，氮化镓晶体管开关是高电压操作，因此是大功率转换器和其他开关模式电路的理想选择，因为氮化镓晶体管耐热的程度远远高于硅晶管，比如在高温环境下，氮化镓晶体管制造的器件可以代替IGBT，而因为氮化镓的材料的它还具有高电子迁移率，器件可以可以实现更小尺寸，更有效和耐热的电路。
另外用氮化镓技术制造出来的激光二极管工作寿命非常长，超过了10000个小时，爱华科技公司和燕京激光物化所合作生产的蓝光二极管就是使用的氮化镓材料。
中原汽车公司现在正在和激光物化所合作研发激光雷达，准备以后是要用在自动驾驶技术上面的，现在还是处在实验室阶段。
不过就算激光雷达取得了成果后，激光雷达系统侦测的资料的质素，包括资料的准确性、精确度及制作速度都是需要高速低脉宽的脉冲大电流驱动，而用氮化镓晶体管刚好可以满足这一点。
激光雷达是自主驾驶技术的核心关键技术，杨杰自然是非常重视，在他视察的过程中也是详细地了解了氮化镓材料、制造工艺、加工设备等方方面面的技术细节。
不过现阶段来说氮化镓材料的制备跟制造工艺跟加工设备各个方面都是有这样那样的问题，进展很不顺利。
杨杰也是好生勉励了这些技术团队一番，研发过程中哪会有那么顺利的，总会碰到各种各样的问题，要做的就是花时间花精力一个问题一个问题地去解决。
他对氮化镓的技术的前景是非常看好的，对此也有足够的耐心。
氮化镓技术的缺点是成本很高，这也是也是因为这方面器件的产量非常少，使用量也非常少，供应商都是处在观望的状态。
随着数量的进一步增加，生产成本肯定会下降，不过最后还是会高于高于CMOS工艺成本的水平。
自上个世纪60年代以来，半导体行业一直在追捧摩尔定律，不过硅晶管特征尺寸达到了材料中的原子大小是最终的限制，到后面最后全世界就只剩下数家最大和设备齐全的半导体厂商才可以基于更小的几何尺寸开发芯片。
到时候硅产品将继续存在，汽车电子和物联网设备市场、手机行业仍然需要标准芯片以及速度更快的芯片，到时候更多的新材料、新工艺将被采纳，而氮化镓、石墨烯这些材料也是种子选手之一。
到时候就看谁在这些材料上有重大的技术突破了。
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